我们现在正处于人工智能时代，数据是创新的命脉，而嵌入式 NVM 是一项基石技术，无需使用电源即可保留信息，并支持从 MCU 和物联网 SoC 到汽车控制器和安全元件的一切。

截至 2025 年 11 月，嵌入式 NVM 发展迅速。边缘数据激增，人工智能功能登陆 MCU 和 SoC，功耗预算比以往任何时候都更加紧张。内存是我们构建设备的核心。这项调查着眼于 eNVM 在市场、技术和采用方面的现状，以及它下一步的发展方向。

嵌入式新兴 NVM，包括 MRAM、RRAM/ReRAM 和 PCM，正在进入 MCU、连接和边缘 AI 设备的更广泛采用阶段，汽车和工业市场的发展势头正在增强。研究公司 Yole Group 表示，到 3 年，嵌入式新兴领域将超过 $2030B，这反映了主流工艺节点的更广泛可用性以及 eFlash 不再适合 ≤28 纳米的更强吸引力。

嵌入式闪存仍然是基础，但高级节点的扩展限制已将 MRAM、ReRAM 和嵌入式 PCM 推向前台。晶圆代工厂和 IDM 正在将嵌入式选项从 28/22 nm 平面 CMOS 扩展到 10-12 nm 级平台，包括 FinFET。Yole 强调了积极的代工路线图：台积电已经建立了大批量MRAM/ReRAM，并正在为 12 年及以后准备 2025 纳米 FinFET ReRAM/MRAM。三星、格芯、联电和中芯国际正在加速通用MCU和高性能汽车设计中的嵌入式MRAM/ReRAM/PCM。意法半导体作为 IDM 脱颖而出，完全致力于嵌入式 PCM，为工业和汽车 MCU 提供 xMemory 解决方案，18 纳米 FD-SOI 将在 2025 年后扩大覆盖范围。

同时，BCD 和 HV-CMOS 流程正在整合嵌入式 NVM，作为模拟、电源管理和混合信号设计中 EEPROM/OTP 的实用替代品。在 IP 方面，供应商正在为这些平台认证嵌入式 NVM 技术，为设计人员提供更多选择，其中成本、耐用性和保留率超过了传统选择。除了代码和数据存储之外，使用eNVM的内存内/近内存计算概念也越来越受到低功耗边缘 AI 推理的兴趣。

汽车仍然是嵌入式新兴 NVM 的重心，随着越来越多的产品投入生产，2025 年安全 IC 和工业 MCU 将显着增加。在实践中，ReRAM、MRAM 和 PCM 各有其作用：ReRAM 在多个大批量类别中越来越受欢迎;MRAM 和 PCM 在速度和耐用性占主导地位的地方很有吸引力。这种组合因节点、应用和供应商路线图而异。

挑战是熟悉的：在高级逻辑节点上集成 eNVM，权衡耐用性和保留率，获得汽车级可靠性，并随着嵌入式代码和 AI 参数的增长实现具有成本效益的密度。趋势线是积极的，PDK/IP 可用性不断增长，容量不断增加，因此这些问题正在得到解决，而不是推迟。

到 2030 年，嵌入式 NVM 将支持更多片上 AI 功能和实用的内存内/近内存计算块，并更广泛地用于边缘受神经形态启发的加速器。Yole 的预测表明，嵌入式新兴领域现在是增长的主要引擎，以大批量 MCU 和模拟 IC 中的 ReRAM 为首，而 MRAM 和嵌入式 PCM 则在性能关键型领域得到巩固。随着边缘数据的增长，eNVM 的作用从“仅存储”扩展到计算结构的一部分，重新定义了效率，并使嵌入式内存比以往任何时候都更加重要。

底线：到 2025 年，嵌入式 NVM 不仅仅是内存，它还是智能、持久的片上系统的推动者。随着 MCU 和边缘 SoC 的加速采用，以及领先晶圆代工厂和 IDM 的清晰路线图，发展轨迹已经确定：嵌入式内存比以往任何时候都更加重要。通过参加简短的调查让我们知道您的意见。